LSI公司近日推出物理层存储接口ASCI芯片，该产品可在667 Mbits/sec速率下工作并作为RLDRAM-II, FCRAM-II和网络 DRAM-II存储器的接口芯片并提供物理层和接口缓存器，它支持为SoC设计的手机ASIC和RapidChip平台ASIC。它适用于高端交换机、路由器和服务器中， 便于用户开发下一代需要高密度和快速随机存储器的万亿位通信和存储平台。
该物理层由数据通路,寻址/指令和阻抗控制的HSTL I/O组成。HSTL I/O为当前1.8V和下一代1.5V RLDRAM-II, FCRAM-II 和网络 DRAM-II存储设备设计，允许从当前到未来低功率设备的升级。其他特点有，模内终止（ODT）、线性阻抗驱动、优化工作负载匹配和最佳路由。
接口芯片和HSTL I/O已有现货出售。
