硅氧化成二氧化硅工艺是集成电路工艺的又一个重要的工艺步骤。氧化工艺之所以重要是因为在集成电路的选择掺杂工艺中，二氧化硅层是掺杂的主要屏蔽层，同时由于二氧化硅是绝缘体，所以，它又是引线与衬底，引线与引线之间的绝缘层。
氧化工艺是将硅片置于通有氧气气氛的高温环境内，通过到达硅表面的氧原子与硅的作用形成二氧化硅。
改进的氧化炉
在表面已有了二氧化硅后，由于这层已生成的二氧化硅对氧的阻碍，氧化的速度是逐渐降低的。由于硅和二氧化硅的晶格尺寸的差异，每生长1μm的二氧化硅，约需消耗0.44μm的硅。
氧化工艺是一种热处理工艺。在集成电路制造技术中，热处理工艺除了氧化工艺外，还包括前面介绍的退火工艺、再分布工艺，以及回流工艺等。回流工艺是利用掺磷的二氧化硅在高温下易流动的特性，来减缓芯片表面的台阶陡度，减小金属引线的断条情况。
