1 常规光刻技术存在的问题
1.1 常规曝光技术存在的问题
1.2 常规腐蚀技术存在的问题
2 其它曝光技术
2.1 投影曝光技术
2.2 电子束曝光技术
2.3 x射线曝光技术
2.4 共模复印曝光技术
3 其它刻蚀技术
3.1 圆桶型等离子体刻蚀
3.2 平板型等离子体刻蚀技术
课程重点：本节介绍了其它光刻技术。首先讨论了上述几节介绍的常规光刻技术存在的问题，如常规曝光技术存在的分辨率不高、以及设备和接触变形问题；又如常规腐蚀技术存在的由于湿法腐蚀引起的侧向腐蚀严重问题、钻蚀严重问题和手二氧化硅质量影响大问题等，这些问题对规模较大的集成电路制造或要求分辨率较高的分离器件制造的成品率有非常大的影响。本节介绍了解决上述问题的其它光刻工艺技术。为克服常规曝光技术存在的问题，给出了投影曝光技术、电子束曝光技术、 x射线曝光技术和共模复印曝光技术，这些曝光技术都很好的解决了常规曝光技术存在的各种问题。本节介绍了解决上述问题的其它刻蚀技术，变湿法腐蚀为干法腐蚀，所述的两种等离子体刻蚀技术均很好的克服了湿法腐蚀存在的各种问题。
课程难点：常规曝光技术存在的各种问题及其对器件制造的成品率影响，相对应介绍的其它曝光技术如何很好的解决了常规曝光技术存在的各种问题。常规腐蚀技术存在的各种问题及其对器件制造的成品率影响 ，相对应介绍的其它腐蚀技术如何很好的解决了湿法腐蚀技术存在的各种问题 。
基本概念：无
基本要求：要求清楚的知道常规光刻技术存在的问题 ，要求知道：常规曝光技术存在一些什么问题，这些问题如何影响着规模较大的集成电路制造或要求分辨率较高的分离器件制造的成品率，所介绍的其它曝光技术如何很好的解决了常规曝光技术存在的各种问题；要求知道：常规湿法腐蚀技术存在一些什么问题，这些问题如何影响着规模较大的集成电路制造或要求分辨率较高的分离器件制造的成品率，所介绍的其它腐蚀技术如何很好的解决了常规曝光技术存在的各种问题；要求能根据实际器件制造的要求，选择合适的曝光技术和腐蚀技术。
第五章 ：光刻工艺及原理作业
思考题2题+习题2题
