1.1 固定反偏电压下pn结电容CJ(V)（结电压V小于零，且固定）
1.2 正偏电压下pn结电容CJ（结电压V大于零，固定或变化）
1.3 零偏电压下pn结电容CJ0（结电压V等于零）
1.4 变化反偏电压下pn结电容CJ(V)（结电压V小于零，且变化）
2 计算举例
2.1 求取结电容步骤
2.2 说明
2.3 举例：简易TTL与非门中晶体管的各结电容计算
课程重点：集成电路中的无源寄生将影响集成电路的瞬态特性，而无源寄生元件主要是寄生结电容。pn结电容的大小与结的结构和所处的状态有关，即与pn结上所加的偏压有关；与pn结的面积有关；且与pn结面是侧面还是底面有关。因此，在考虑计算寄生结电容时，必须和pn 结的实际结构结合起来，还必须和pn 结在某个瞬态过程中实际电性状态变化结合起来。
课程难点：分清各种偏压下的pn结的状态，应用合适的pn结电容公式。其中，分析和判定在某一电性过程中pn结上所处的偏压状态是重要的，特别是结处于变化反偏状态时，且pn结两侧电压均变化的情况尤要注意；另外，在pn结的面积计算时，注意其侧面积为四分之一圆柱面积，这是由于扩散形成电性区时存在横向扩散所致。
基本要求：掌握各种偏压下的pn结电容求取公式，能够分析在某个电性过程中，pn结上的偏压状态如何，是固定的还是变化的，是零偏、正偏、反偏还是三种状态都发生了。熟悉结电容的求取方法，能熟练的应用结电容求取公式求得各种偏压下的pn结电容。
第一章：集成电路的寄生效应（含序言）作业
补充思考题5题+课本习题5题
