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横向PNP管、纵向PNP管的结构与特点

横向PNP管、纵向PNP管的结构与特点

由于模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求,需要引入PNP结构的晶体管。图A 示出集成电路中的两种PNP型管。其中,横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行,不需附加工序。采用等平面隔离工艺的横向 PNP管的基本图形和结构如图6-1所示,其中心 p型发射区和外围 p型区是与普通NPN管基区淡硼扩散同时完成的,而基区即为外延层。在横向PNP管中,发射区注入的少子(空穴)在基区中流动的方向与衬底平行,故称为横向 PNP管。

纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区,集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区,用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通,在电路中总是接在最低电位处,这使它的使用场合受到了限制,在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。


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