在进行版图设计以前，必须进行充分的准备工作。一般包括以下几方面。
①了解工艺现状，确定工艺路线
确定选用标准pn结隔离或对通隔离工艺或等平面隔离工艺。由此确定工艺路线及光刻掩膜版的块数。
由制版和光刻工艺水平确定最小接触孔的尺寸和光刻套刻精度。光刻工艺的分辨率，即能刻蚀图形的最小宽度，受到掩膜分辨率、光刻胶分辨率、胶膜厚度、横向腐蚀等多因素的限制。套刻精度与光刻机的精度和操作人员的熟练程度关系密切。
要了解采用的管壳和压焊工艺。封装形式可分为金属圆筒塑(TO-5型)、扁平封装型和双列直插型(DIP)等多种，管芯压点分布必须和管壳外引脚排列相吻合。当采用热压焊时，压焊点的面积只需70μm×70μm，超声压焊需100μm×100μm ~125μm×25μm，金丝球焊需125μm ×125μm，金丝球焊牢固程度高，金丝在靠近硅片压点处是垂直的，可压到芯片纵深处(但必须使用温度SiO2纯化层)，使用起来很灵活。
②解剖同类型的IC的产品
解剖同类型IC产品，可作为自己设计和生产的借鉴。解剖工作包括版图分析和基本尺寸的测量，元件性能测试和工艺解剖和分析三个方面。通过版图分析和基本尺寸的测量可获得实际的线路图和逻辑功能图，可了解到版图布局，还可取得各种元件尺寸的数据以了解其它单位或国外制版和光刻水平。但应注意“侵权”问题。
