课程内容：
1 隔离
1.1 隔离的必要性-集成电路的构成特点
1.1.1 各元器件制作于同一芯片上
1.1.2 若干元器件通过布线连接构成电路性能
1.1.3 电路性能要求各元器件不处于同一电性状态
1.2 考虑电性隔离的集成电路制造步骤
1.2.1 用绝缘物作隔离墙分割出隔离岛
1.2.2 在各隔离岛内制造响应的元器件
1.2.3 通过布线连接达到电路功能
1.3 隔离要求
1.3.1 隔离性能要好
1.3.2 工艺上具有可能性、简易性和相容性
1.3.3 隔离墙占有的实际面积要小
2 隔离种类
2.1 pn结隔离
2.2 介质隔离
2.2.1 SiO2介质隔离
2.2.1 V型槽介质隔离
2.3 pn结-介质混合隔离
2.3.1 等平面混合隔离
2.3.2 多孔硅氧化混合隔离
2.3.3 V型槽混合隔离
3 隔离质量的影响
3.1 隔离质量是保证集成电路性能的关键因素
3.1.1 各隔离墙必须同时起到隔离作用
3.1.2 所有隔离墙必须均具有高稳定和高可靠
3.2 隔离是提高集成度的关键因素
3.2.1 pn结隔离工艺中隔离墙占有的实际面积分析
3.2.2 介质隔离工艺中隔离墙占有的实际面积分析
课程重点：本节介绍了隔离的有关基本知识。首先介绍了什么是隔离，指出了隔离制造在集成电路制造中的必要性，由集成电路的构成的三个特点（各元器件制作于同一芯片上、若干元器件通过布线连接构成电路性能、电路性能要求各元器件不处于同一电性状态），则必须进行隔离制造。叙述了考虑电性隔离的集成电路制造步骤，指出：由于考虑了各元器件间电性隔离，则在元器件布局时，必须考虑元器件间电性能是否相同，然后用绝缘物作隔离墙分割出大小不一的隔离岛；再在各个隔离岛内排布元器件（同态可同岛、异态必异岛）；布线连接各元器件达到电路功能。讨论了隔离要求，提出了三个要求并进行了讨论；其一是隔离性能要好，主要指隔离墙的漏电流要小、击穿电压要高、带入的电容效应要小；其二是工艺上具有可能性、简易性和相容性，可能性是指能用一定的工艺手段完成，是指工艺上的简单易操作，相容性是指与现行的工艺（如硅外延平面工艺）能相容合；其三是隔离墙占有的实际面积要小，这是提高集成度的要求。介绍了隔离种类，总共介绍了pn结隔离、介质隔离（SiO2介质隔离、V型槽介质隔离）和pn结-介质混合隔离（ 等平面混合隔离、多孔硅氧化混合隔离、V型槽混合隔离）三类六种隔离方式，并对各种方式进行了讨论。 本节还介绍了隔离质量对集成电路制造的影响，指出：隔离质量是保证集成电路性能的关键因素，这是指集成电路中各隔离墙必须同时起到隔离作用、 所有隔离墙必须均具有高稳定和高可靠；隔离是提高集成度的关键因素，这是指集成电路制造中不同的隔离工艺隔离墙占有的实际面积不同、则对集成度影响不同，对pn结隔离工艺中隔离墙占有的实际面积和介质隔离工艺中隔离墙占有的实际面积进行了对比分析。
课程难点：什么是隔离、隔离制造在集成电路制造中的必要性、如何进行考虑电性隔离的集成电路制造步骤的安排、隔离制造有什么性能要求。隔离方法有几种、常用的又有几种。隔离制造的质量是如何影响集成电路制造和性能的。 基本概念：
1 隔离-指集成电路制造中使在电性能上需要隔离的元器件实现绝缘隔离的过程。
2隔离墙-指集成电路制造中制造的使元器件在电性能上实现绝缘隔离的绝缘物。
3 隔离岛-指集成电路制造中被绝缘物隔离开来的用于制造器件的电性区。
4 pn结隔离-利用反向pn结的大电阻特性作为绝缘物实现的电性区之间的电性隔离过程。
5介质隔离-用绝缘介质作为绝缘物实现的电性区之间的电性隔离过程。
6 SiO2介质隔离-用绝缘SiO2介质作为绝缘物实现的电性区之间的电性隔离过程。
7 pn结-介质混合隔离-实现的电性区之间的电性隔离的绝缘物既有反向pn结又有绝缘介质的隔离过程。
基本要求：要求知道什么是隔离的定义、含义。清楚隔离制造在集成电路制造中的必要性，为什么说不解决隔离问题集成电路制造就是一句空话。能够进行考虑电性隔离的集成电路制造步骤的安排，知道如何进行电性区的划分、如何在各个电性区内合理安排元器件、如何通过布线构成集成电路的功能。清楚的了解隔离制造有什么性能要求，对隔离墙的性能要求有哪些、对制造隔离墙的制造工艺要求有哪些。清楚隔离方法有几类多少种，熟悉常用的有几种。清楚的知道隔离制造的质量是如何影响集成电路制造和性能的，知道隔离墙的质量是如何影响集成电路制造和性能的、清楚为何说隔离是提高集成度的关键因素。
