如果硅是沉积在不定形的物质上，那么就没有底下的结构能调整晶体的生长。最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构，它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处理。多晶的粒子boundaries就好像lattice defects，它能为漏电流提供秘密通道。因此，PN结通常不是由多晶造的。多晶通常用来生产self-aligned MOS晶体管的gate电极，因为，不像铝，它能承受退火source/drain植入所需的高温。另外，由于磷掺杂的多晶能固定离子杂质，多晶的使用能更好的控制MOS的阈值电压（节 4.2.2）适当掺杂的多晶制作的非常窄的电阻比扩散器件有更少的寄生。重掺杂的多晶也能用来作为能忍受信号通路中相当大电阻的信号的额外的金属层。
用和外延生长相似的设备在wafer上首先沉积多晶硅能生产出刻出图案的多晶层（参见图2.22）。然后wafer上镀上光刻胶，刻图，并蚀刻选择性的去掉多晶硅。现代工艺通常使用干蚀刻而不是湿蚀刻因为gate尺寸的精确控制很重要。
