智能功率电路是指在一个芯片上把电压的CMOS的VLSI CPU、逻辑电路和模拟电路和高压功率器件集成在一起。目前，智能功率电路的集成度还很低，只是几个逻辑电路和高压功率器件集成在一起。SOI衬底可以灵活的把双极性器件、高压器件、低压器件、SOI器件或其它器件集成在同一个芯片上。图1.28[45]给出了一个改进后的智能功率电路的工艺流程。
图1.28 键合智能功率电路
（1）在低掺杂的n-硅片上局部腐蚀，形成深度~3μm的浅槽，离子注入在浅槽的底部的下面形成N+的掩埋层。接着，热氧化使硅片的表面生长一层厚度大于2µm的氧化层。
（2）抛去氧化后硅片表面的氧化层，得到一个足够光滑平整的抛光面。
（3）把抛光的硅片与一个n-/n+的外延或键合的支撑硅片一起清洗，用稀释的HF酸漂去表面的本征氧化层，甩干后键合在一起，在1100℃和N2气环境下高温退火，使键合界面完全成为一体。
（4）把低掺杂的n-硅片研磨减薄和抛光到所要求的厚度，得到器件的有源区。
（5）通过V型槽腐蚀、热氧化、多晶硅回填和最后的抛光工艺，就可以通过V型槽的绝缘介质隔离把SOI区和体硅区完全隔离开。SOI区可以制备各种低压器件，体硅区可以制备各种高压功率器件。
利用这种技术正在研制由一个n-DMOSFET和一个~0.6Ω、开关速度为650 KHz的正常开电阻组成的600V、5 A的PWM开关集成电路[45]。
