（1） 简单模型验证
把中间的二氧化硅换成硅，就得到图3.8的简化模型。杂质的扩散系数为D，可以得出[13]：
取D1=D2=D3=D，m=1，对方程（3.47）、（3.4）、（3.57）进行化简，在三个区域中得到一个统一的方程式：
图3.8 简化模型
（2） 杂质流密度和总量验证
界面处进入硅中的流密度为：
与方程（3.50）比较，二者相等，所以流过界面的流密度相等。
通过Si/SiO2界面进入SiO2和Si中的杂质总量为
其中：
把方程（3.62）代入方程（3.61）可以得出：
Ⅰ区的硅中杂质减少的总量为：
方程（3.63）和方程（3.64）完全相等，所以杂质总量也相等。
（3）实验结果验证
键合好的硅片，可以用扩展电阻法测量出杂质在界面处的分布情况，杂质的浓度与初始浓度相差1~2个数量级[5]，这与计算结果一致。
