称为硅的本地氧化（LOCOS）的技术能实现厚氧化层选择性生长。（8 “LOCUS: A New I.C. Technology,” Microelectronics and Reliability, Vol. 10,1971, pp.471-472）这个工艺开始于薄pad oxide的生长，它能保护硅表面不受接下来的机械压力影响。（图2.14）。化学气相沉积在pad oxide的顶部产生一层氮化膜。这个氮化物被蚀刻后使该区域选择性的氧化。氮化物阻碍了氧和水分子的扩散，所以只在氮化物开口处有氧化。有些氧化剂能扩散到氮化物边缘下的一小段距离，产生了一个弯曲的过渡区域，叫做bird’s beak。（9 E.Bassous, H.N.Yu, and V.Maniscalco, “Topology of Silicon Structures with Recessed SiO2,” J.Electrochem. Soc, Vol. 123, #11,1976, pp.1729-1737.）一旦氧化结束，氮化层就被洗掉露出蚀刻后的氧化物。
图2.14 硅的本地氧化（LOCOS）工艺。
CMOS和BiCMOS工艺用LOCOS在wafer的电惰性区域上生长厚field oxide。Field oxide没有覆盖的区域叫做moat区，因为他们在wafer上形成浅沟。后来在moat区生长的非常薄的高质量的gate oxide会成为MOS晶体管的gate电介质。
叫做Kooi effect的机制使gate oxide的生长变得复杂。（10 E.Kooi, J.G. van Lierop, and J.A.Appels, “Formation of Silicon Nitride at a Si-SiO2 Interface during Local Oxidation of Silicon and during Heat-Treatment of Oxidized Silicon in NH3 Gas,” J. Electrochem. Soc., Vol. 123, #7, 1976, pp.1117-1120.）通常LOCOS氧化中使用的水蒸气也会影响氮化物薄膜表面，产生氨水，其中的一些又会迁移到靠近pad oxide的氮化物开口附近。在那里他们和底下的硅反应形成氮化硅（图2.15）。由于这些氮化沉积物处于pad oxide的下面，即使LOCOS氮化物被去除了他们仍旧还存在。即使在gate oxide生长之前去除pad oxide也不能去掉这些沉积物，因为蚀刻是对氧化物选择性的，而不是对氮化物。在gate氧化期间，残留的氮化物的作用就好像无意的LOCOS mask，降低了moat区边缘的氧化生长。在这些点的gate oxide可能不够厚来承受全工作电压。先生长一薄层氧化层再去除就能避免Kooi effect。因为氮化硅氧化缓慢，这个dummy gate oxidation 去掉了残留的氮化物并立刻提高了后来的真正的gate oxide生长的完整性。
图2.15 在bird's beak（A）下生长的氮化物引起的Kooi effect，在接下来的氧化中防止gate oxide的形成（B）。
