光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它最终的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。最后通过烘焙去掉最后剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，特别是紫外（UV）线。相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
图2.5 光刻胶溶液在旋转wafer上的应用。
基本的光刻胶根据它在曝光时不同的化学反应分为两种。Negative resist在UV光线下聚合。未曝光的negative resist 仍旧可以溶于某种溶剂，而聚合的光刻胶变得不可溶解。当wafer浸入溶液时，未曝光区就被溶解了，曝光区保持原样。另一种，positive resist在UV光线下化学分解。这些resists通常不溶解于developing溶液，但是曝光过的部分化学上已经变得可溶解了。当wafer浸入溶液后，曝光区会被冲洗掉，而未曝光区保持原样。Negative resist在development时可能会膨胀，所以工艺工程师通常喜欢用positive resists。
