网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
资料首页最新产品 技术参数 电路图 设计应用 解决方案 代理商查询 IC替换 IC厂商 电子辞典
关键字: 技术文章 PDF资料 IC价格 电路图 代理商查询 IC替换 IC厂商 电子辞典

“非纯净硅”新技术有望降低太阳能电池成本

    美国加州伯克利大学研究人员研制出基于“非纯净硅(dirty silicon)”的新技术,有可能帮助降低太阳能电池的成本。  

    将近90%的太阳能或光电电池是由提炼的纯净硅制成的。尝试使用资源丰富而且便宜的充满金属杂质和缺陷的普通硅,由此制成的太阳能电池性能差强人意而一度失败。此外,用于去除杂质的制造技术也非常昂贵,抵消了采用便宜材料而带来的成本效益。  

    “我们提出了一种利非纯净硅的新方法。”该大学材料科学与工程系教授兼Lawrence Berkeley国家实验室(LBNL)先进单位材料中心首席调查员Eicke Weber表示。“我们不去除杂质,而是留下它们,但是我们采用了减少它们对太阳能效率产生有害影响的处理方法。”Weber表示。  

    研究人员发现,他们能够通过改变硅冷却速率来控制金属杂质的分布。研究人员声称,如果研究者和制造商能进一步降低电池成本,太阳能工业将得到更快速发展。 
热门搜索:SS361220 ULTRABLOK PS480806 2839376 LS606M TLM815NS TLP6B UL800CB-15 PS2408RA PDU2430 BSV52R RBC11A TLP602 ADS1013IDGSR PS240810 1553DBPCB 2838283 SBB830-QTY10 UL603CB-6 B40-8000-PCB 2839211 LED12-C2 BT151S-800R118 TLP808TELTAA 2839570
COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
(北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质