台积电9月将抢先量产45纳米产品 最先用于手机芯片

     全球最大的晶圆代工厂之一台积电(TSMC)日前表示，将于今年9月开始量产45纳米产品，成为台湾首家迈入45纳米量产的晶圆厂。 
     台积电总经理蔡力行表示：“为因应客户未来的需求,公司迅速建构完成了45纳米设计生态环境,并结集完备的设计支援服务,协助客户将来能快速导入45纳米产品.” 
      台积电近来在发展自己的先进生产工艺上表现得十分努力，公司和ASML公司合作开发的沉浸光刻技术(immersion lithography technology)，在今后也许将成为主流技术，只要业界对生产工艺的需求向比45纳米还先进的技术转移时。台积电预期在2009年可以采用32纳米的生产工艺进行批量生产。 
      台积电表示，预计9月即可完成45纳米工艺验证并为客户生产产品，45纳米工艺结合最先进的193纳米浸润式曝光显影工艺及先进材料如应变矽晶(Silicon strains)及超低介电系数(Extreme low-k)连接材料等。相较于65纳米工艺技术，45纳米低耗电工艺晶片尺寸缩小40%、功效提升4成。外界预测，台积电45纳米低功耗工艺，应是用于手机芯片生产，包括飞思卡尔(Freescale)、德州仪器(TI)等客户都应是最先采纳的客户群，而FPGA大客户Altera也公开宣示45纳米工艺未来持续与台积电合作。 
      不过，台积电也不是唯一力推45纳米工艺共乘服务的业者，特许便规划2007年7月推出第一梯次，而这与台积电2006年底推出的时间仅差约半年。 除了特许，联电也紧锣密鼓布局45纳米工艺，2006年底宣布成功生产测试晶片之后，联电也预计2007年下半为45纳米工艺试产进行准备。