英特尔称PRAM有潜力取代DRAM

     英特尔日前表示，其所开发的相变随机存取存储器（PRAM）有潜力取代当前的DRAM（动态随机存取存储器）。 
   　在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会（IDF）”上，英特尔首席技术官Justin Rattner展示了新型PRAM内存，并表示，PRAM有潜力取代当前的DRAM。 
   　Rattner还称，英特尔开发PRAM已经有十年的历史了。据悉，PRAM是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品。 
   　据英特尔称，PRAM的读写速度相当于闪存的1000多倍，而能耗只有当前闪存的1/2。目前，英特尔与意法半导体携手开发这种PRAM产品。