Maxim新款SiGe无源混频器瞄准2.5G/3G应用
美信集成产品公司(Maxim Integrated Products)推出高性能完全集成815MHz至1000MHz SiGe无源混频器——MAX2031。该单片IC可提供36dBm IIP3、27dBm IP1dB、7dB噪声系数，以及7dB的变频损耗。此外，MAX2031还具有卓越的2阶和3阶杂散抵制性能。
MAX2031专为2.5G/3G无线基础结构应用而设计，并具有较高线性度、噪声性能和元件集成度。MAX2031非常适合于815MHz至1000MHz的WCDMA、GSM850/GSM900 EDGE、cdma2000－和iDEN基站应用。该器件可提供DC至250MHz的宽泛IF频率范围，并具有960MHz至1180MHz的高端LO注入范围。MAX2029支持325MHz至850MHz的LO频率，并针对低端LO注入结构进行了优化。
作为一个完整的SiGe上变频和下变频器，MAX2031内部集成了高水平双平衡混频器核(带有一个LO放大器)、两个非平衡变压器、一个LO开关和许多分立元件。这种高集成度使得该混频器的电路板面积可缩小2.5倍，分立元件的数量减少33%。MAX2031具有卓越的2RF-2LO性能，易于滤除邻近谐波分量，使滤波器的设计更简单、成本更低。
器件内部集成了SPDT LO开关，其开关时间小于50ns，LO1与LO2之间的隔离度为49dB，用于支持跳频功能。在整个温度、电源电压和输入功率变化范围内，内置的0dBm驱动LO缓冲器可提供±3dB的驱动变化范围，并获得稳定的增益、NF和IIP3性能。该器件具有卓越的增益稳定性，在工业级温度范围(-40℃至+85℃)内仅变化+0.2/-0.3dB。在整个温度范围内，IIP3性能同样出色，仅仅变化±0.3dB。
MAX2031采用紧凑的5×5mm、20引脚薄型QFN封装，与MAX2039/MAX2041系列1700MHz至2200MHz混频器引脚兼容。该系列无源上变频器和下变频器非常适合于两个无线基础结构频段共用同一个PC板布局的应用。提供无铅封装。起价为6.15美元/片(1,000片起订，美国离岸价，仅供参考)。
