容量倍增 富士通量产2 Mbit FRAM芯片

    富士通日前公布了其2 MbiT铁电随机存储器（Ferroelectric RAM；FRAM或FeRAM）芯片上市的消息。该公司表示，这是目前世界上已经进入量产的容量最大的FRAM。新产品与富士通的1 Mbit FRAM芯片具备同样的电学特性并使用了同样的TSOP-48封装，唯一的不同在于容量提高了一倍。其样品价格为2000日元，约合16.91美元。 
    FRAM是一种利用铁电薄膜保留数据的非易失性存储器。与基于闪存的随机存储器相比，拥有更快的数据读写速度，更低的能耗以及更大数量的写入周期。
    富士通表示，FRAM芯片可用做办公设备的非易失性存储器，存储事件计数或每个事件的各种参数及日志。FRAM芯片可承受100亿次读写周期，这相当于连续10年每秒钟写入30次。另外，FRAM可在毋需电池的情况下保留数据10年。
    FRAM芯片还可应用于汽车导航系统，多功能 

打印机和测量仪器等任何需要非易失性存储器的环境，存储各类参数，记录设备的操作状况或安全信息。