英特尔展示相变内存芯片 欲取代现有闪存技术

 本周二，英特尔展示了一种基于问世近30年概念的内存芯片。 
代号为Alverston的这款芯片属于一种相变内存（phase change memory）芯片，英特尔技术总监贾斯廷在英特尔开发商论坛（IDF）上展示了128位的Alverston芯片样品。英特尔计划于今年上半年向客户交付样品芯片。
Alverston制造材料与CD光盘相似。芯片被划分成许多极小的位，当被加热时，一个位内的材料会成为晶体，能够反射光，反射的图像被认为是“1”。当被重新加热并冷却后，一个位内的材料会变为非结晶体，成为“0”。
相变内存被认为是闪存的取代者，可以被使用在计算机中。在过去的数年中，尽管厂商一直在迅速和稳定地缩小闪存芯片的尺寸，闪存的固有特性和结构使得许多人相信，在未来的十年中，这一进程将会变慢。
厂商一直在寻找替代性技术，在过去的两年中，包括飞利浦、三星、IBM在内的许多厂商发表了有关相变内存的学术论文，这表明它最有可能成为现有内存技术的取代者。
相位改变并非是什么新概念。英特尔合伙创始人戈登在1970年9月份就发表了与Ovonics相关的论文。Ovonics是相位改变技术的一个变种。相变内存的能耗更低，能够在较小的空间中存储大量的数据。数据位也不容易被改变或损坏。
相变内存真正的挑战在于制造和可靠性方面，将一个数据位由晶体转变为非晶体，要求利用脉冲电流迅速地将它加热到600摄氏度，而不会影响到邻近的数据位。
数年来，英特尔一直在讨论Ovonics技术。2001年，英特尔将它称作是闪存的取代者。当时，分析人士预测Ovonics内存将于2003年上市销售。