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专用芯片技术
MMBZ33VALT1G的技术参数
产品型号:MMBZ33VALT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350
齐纳击穿电压Vz典型值(V):33
齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650
@Izt(mA):1
描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
价格/1片(套):￥.40
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