MMSZ5231ET1G的技术参数

产品型号:MMSZ5231ET1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):17
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:CB2
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):暂无