MMBZ5224BLT1G的技术参数

产品型号:MMBZ5224BLT1G
齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.660
齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.800
齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.940
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):30
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:18D
封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150
价格/1片(套):￥.18