据华尔街日报（WSJ）报导，IBM微电子（IBM Microelectronics）日前推出第四代硅锗（silicon-germanium）制程科技，导入0.13微米制程之后，不仅芯片尺寸仅有原来的一半，产品效能却能达到加倍，IBM锁定手机与车用电子雷达等市场，作为硅锗制程产品的先锋部队。
IBM指出，第四代硅锗制程产品时脉速度可高达200 Gigahertz，此外，在较低的运算时脉速度下，芯片产品耗能仅有第三代产品的一半，大大增加手机电池的寿命，IBM此项制程推进，较目前广泛运用在手机芯片上的砷化镓（gallium arsenide）制程产品，不仅在效能上表现较优，成本亦可望大为减少。
IBM系统暨科技事业群首席工程师Bernie Myerson指出，新推出的硅锗芯片亦可带动崭新系统产品的发展，由于硅锗芯片可同时处理数字运算与模拟射频等功能，因此，锁定在通讯领域市场将是其应用的首选。
此外，硅锗制程产品亦可在一般晶圆厂房打造，毋须引进特殊制程设备，在成本考虑上，亦较砷化镓制程来得具有竞争力。
据报导，在微缩产品与节省成本等考虑下，半导体产业寻找新兴材料与新兴制程的脚步无法停歇，市调机构Information Network报告显示，预估2005年硅锗制程市场可望增长40％，达到16亿美元规模，而砷化镓市场增幅仅有6％，达到34亿美元规模。
