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专用芯片技术
MUR115G的技术参数
产品型号:MUR115G
峰值反向电压VRRM(V):150
最大平均正向电流IO(A):1
最大全周期正向压降VF(V):0.875
最大非重复浪涌电流IFSM(A):35
最大反向电流IR(mA):0.050
封装/温度(℃):DO-41/-65~175
价格/1片(套):￥.99
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