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正当2大韩系DRAM晶圆厂三星电子（Samsung Electronics）及韩国现代（Hynix）于NAND型闪存（Flash）市场陷入激战之际，台湾DRAM厂却纷纷大举投入90纳米制程的建军备战，重兵部署2006年全球DRAM市场主流产品DDRII。台系DRAM厂表示，现阶段唯有加紧拉高90纳米制程生产良率，才能有机会于2006年胜出，因为2006年DRAM厂决胜关键就在于90纳米制程。
台系DRAM厂指出，近几个月来，2大韩系DRAM厂对于标准型DRAM几乎是无心恋栈，所有心思均放在NAND型Flash生产上，主要原因系现阶段NAND型Flash毛利仍远优于标准型DRAM，三星甚至公开表示，就算三星已成为全球第一大NAND型Flash供货商，但仍不会减少对于NAND型Flash的生产。
韩国现代对于NAND型Flash态度也是一面倒情况，估计2005年底前来自NAND型Flash营收贡献度，将占韩国现代整体营收比重逾40％，因此，对于标准型DRAM产出亦显得意兴阑珊。台系DRAM厂认为，尽管三星及韩国现代亦不遗余力投入先进制程，但相较之下，仍明显不如台厂动作积极。
台DRAM厂方面，目前茂德正全力投入90纳米制程，预期在2005年下半及2006年真正能挹注茂德营收增长的，便是来自于中科12英寸厂的90纳米制程生产线，茂德将凭借90纳米制程，在2006年推升产出增长逾80％，加上2006年DRAM产业进入DDRII世代，惟有仰赖采90纳米制程的12英寸厂，才能主导市场。
茂德董事长陈民良表示，茂德到9月时90纳米制程投片量将达3,000片，12月会提升到7,000片，较原定计划进度提早约2个月。他认为，90纳米制程进度是愈快愈好，因为2006年DRAM市场决战点，便在于谁能拥有较多90纳米制程产能。
力晶方面，预计11～12月便将进入90纳米制程量产，并在年底占力晶整体产出量约10％。力晶表示，加快导入90纳米制程量产，在于唯有采用90纳米制程，才能够产出现货市场或OEM计算机大厂所要的DDRII 667规格产品，由于力晶90纳米与0.10微米制程技术属于同一世代，因此，有信心在短期内快速拉高90纳米制程产出。
至于华亚科，目前对于90纳米制程同样是全力以赴，由于华亚科现已全数投入DDRII产品，到2006年若欲与其它新进12英寸厂一较高低，绝对必须尽快导入90纳米制程，才有机会在市场上胜出。
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