NTTD4401FR2G的技术参数

产品型号:NTTD4401FR2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
最大漏极电流Id(on)(A):3.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SC-70 /-55 ~150
描述:-20 V, -3.3 A双功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.30