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专用芯片技术
NTP60N06的技术参数
产品型号:NTP60N06
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
最大漏极电流Id(on)(A):60
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:75A,25V功率MOSFET
价格/1片(套):￥11.60
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