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专用芯片技术
NTP60N06G的技术参数
产品型号:NTP60N06G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
最大漏极电流Id(on)(A):60
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:60 V, 60 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥12.00
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