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专用芯片技术
NTP45N06G的技术参数
产品型号:NTP45N06G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):45
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:45A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):￥7.20
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