NTMSD3P102R2G的技术参数

产品型号:NTMSD3P102R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:增强型功率MOSFET集成肖特基二极管
价格/1片(套):￥3.70