NTMD2C02R2SG的技术参数

产品型号:NTMD2C02R2SG
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43
最大漏极电流Id(on)(A):5.200
通道极性:N/P
封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150
描述:20V,5.2A,N/P沟道双MOSFET
价格/1片(套):暂无