NTJD4105CT1G的技术参数

产品型号:NTJD4105CT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200
最大漏极电流Id(on)(A):0.775
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:小信号20V/-8V ，+0.63A/-0.775A MOSFET
价格/1片(套):￥1.90