NTHD4N02FT1的技术参数

产品型号:NTHD4N02FT1
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):2.700
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~125
描述:-2.7A,-20V P沟道功率MOSFET和肖特基二极管
价格/1片(套):￥6.40