NTHD4P02FT1G的技术参数

产品型号:NTHD4P02FT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.80