NTHS2101PT1G的技术参数

产品型号:NTHS2101PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25
最大漏极电流Id(on)(A):7.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-8 V, -7.5 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.80