NTGS4111PT1G的技术参数

产品型号:NTGS4111PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):4.700
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
描述:-30 V, -4.7A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.20