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NTGS3433T1G的技术参数
产品型号:NTGS3433T1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
最大漏极电流Id(on)(A):3.300
通道极性:P
封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150
描述:12V,3.3A,P沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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