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NTGS3441PT1G的技术参数
产品型号:NTGS3441PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):110
最大漏极电流Id(on)(A):3.160
通道极性:P
封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150
描述:20V,3.16A,P沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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