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NTD70N03RT4的技术参数
产品型号:NTD70N03RT4
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.600
最大漏极电流Id(on)(A):70
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:70A,25V功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.28
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