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NTD4808NT4G的技术参数
产品型号:NTD4808NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
最大漏极电流Id(on)(A):63
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:63A,30V功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.20
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