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NTD4302T4G的技术参数
产品型号:NTD4302T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10
最大漏极电流Id(on)(A):68
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:68A, 30V功率MOSFET
价格/1片(套):￥6.60
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