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NTD32N06G的技术参数
产品型号:NTD32N06G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏极电流Id(on)(A):32
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:60V,32A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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