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NTD12N10-1G的技术参数
产品型号:NTD12N10-1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:100V,12A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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