NTD12N10T4G的技术参数

产品型号:NTD12N10T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:12 A, 100 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.20