NTB65N02RT4G的技术参数

产品型号:NTB65N02RT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500
最大漏极电流Id(on)(A):65
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:24V, 65 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥4.00