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专用芯片技术
NTB4302T4G的技术参数
产品型号:NTB4302T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:74 A, 30 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥6.40
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