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专用芯片技术
NIMD6302R2的技术参数
产品型号:NIMD6302R2
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
最大漏极电流Id(on)(A):－
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SO8/-55~175
描述:双N沟道MOSFET
价格/1片(套):￥21.00
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