MTP12P10G的技术参数

产品型号:MTP12P10G
源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-65~150
描述:12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥10.80