MMDF2P02HDR2G的技术参数

产品型号:MMDF2P02HDR2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):160
最大漏极电流Id(on)(A):3.600
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):SO-8/-55~150
描述:2A,20V,SO-8,P沟道功率双MOSFET
价格/1片(套):￥6.08