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专用芯片技术
2N7002LT1的技术参数
产品型号:2N7002LT1
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7500
最大漏极电流Id(on)(A):0.120
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管
价格/1片(套):￥.35
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