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专用芯片技术
2N7000RLRAG的技术参数
产品型号:2N7000RLRAG
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000
最大漏极电流Id(on)(A):0.200
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-92/-55~150
描述:小信号N沟道TO92封装场效应管
价格/1片(套):￥.90
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